سلیکن تھرمل آکسائیڈ ویفر

تجاویز: آکسیکرن کی قسم

1. خشک آکسیکرن

سلکان آکسیجن کے ساتھ رد عمل ظاہر کرتا ہے، اور آکسائیڈ کی تہہ بیسل پرت کی طرف بڑھ جاتی ہے۔خشک آکسیکرن 850 سے 1200 ° C کے درجہ حرارت پر کرنے کی ضرورت ہے، اور ترقی کی شرح کم ہے، جو MOS موصلیت گیٹ کی ترقی کے لئے استعمال کیا جا سکتا ہے.جب اعلیٰ کوالٹی، انتہائی پتلی سلکان آکسائیڈ پرت کی ضرورت ہوتی ہے، تو گیلے آکسیکرن پر خشک آکسیکرن کو ترجیح دی جاتی ہے۔

خشک آکسیکرن صلاحیت: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)

2. گیلے آکسیکرن

یہ طریقہ ~1000 ° C پر جلانے کے لیے ہائیڈروجن اور اعلیٰ پاکیزہ آکسیجن کا مرکب استعمال کرتا ہے، اس طرح آکسائیڈ کی تہہ بنانے کے لیے پانی کے بخارات پیدا ہوتے ہیں۔اگرچہ گیلے آکسیکرن خشک آکسیکرن کے طور پر اعلی معیار کی آکسیکرن پرت پیدا نہیں کر سکتے ہیں، لیکن خشک آکسیکرن کے مقابلے میں ایک الگ تھلگ زون کے طور پر استعمال کرنے کے لئے کافی ہے، ایک واضح فائدہ یہ ہے کہ اس کی ترقی کی شرح زیادہ ہے.

گیلے آکسیکرن کی گنجائش: 50nm ~ 15µm (500A ~ 15µm)

3. خشک طریقہ - گیلا طریقہ - خشک طریقہ

اس طریقہ کار میں، خالص خشک آکسیجن کو ابتدائی مرحلے میں آکسیڈیشن فرنس میں چھوڑا جاتا ہے، ہائیڈروجن کو آکسیکرن کے وسط میں شامل کیا جاتا ہے، اور ہائیڈروجن کو خالص خشک آکسیجن کے ساتھ آکسیڈیشن جاری رکھنے کے لیے آخر میں ذخیرہ کیا جاتا ہے تاکہ ایک گھنے آکسیڈیشن ڈھانچہ بن سکے۔ پانی کی بھاپ کی شکل میں عام گیلے آکسیکرن عمل۔

4. TEOS آکسیکرن