گیلیم نائٹرائڈ سبسٹریٹس | GaN ویفرز

تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد میں بنیادی طور پر SiC، GaN، ڈائمنڈ وغیرہ شامل ہیں، کیونکہ اس کی بینڈ گیپ چوڑائی (مثال کے طور پر) 2.3 الیکٹران وولٹ (eV) سے زیادہ یا اس کے برابر ہے، جسے وسیع بینڈ گیپ سیمی کنڈکٹر مواد بھی کہا جاتا ہے۔پہلی اور دوسری نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد کے مقابلے میں، تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد میں اعلی تھرمل چالکتا، ہائی بریک ڈاؤن الیکٹرک فیلڈ، ہائی سیچوریٹڈ الیکٹران مائیگریشن ریٹ اور ہائی بانڈنگ انرجی کے فوائد ہیں، جو جدید الیکٹرانک ٹیکنالوجی کی نئی ضروریات کو پورا کر سکتے ہیں۔ درجہ حرارت، ہائی پاور، ہائی پریشر، ہائی فریکوئنسی اور تابکاری کے خلاف مزاحمت اور دیگر سخت حالات۔قومی دفاع، ہوا بازی، ایرو اسپیس، تیل کی تلاش، آپٹیکل سٹوریج وغیرہ کے شعبوں میں اس کے استعمال کے اہم امکانات ہیں، اور بہت سی اسٹریٹجک صنعتوں جیسے براڈ بینڈ کمیونیکیشن، شمسی توانائی، آٹوموبائل مینوفیکچرنگ، میں توانائی کے نقصان کو 50 فیصد سے زیادہ کم کر سکتے ہیں۔ سیمی کنڈکٹر لائٹنگ، اور سمارٹ گرڈ، اور آلات کے حجم کو 75 فیصد سے زیادہ کم کر سکتا ہے، جو انسانی سائنس اور ٹیکنالوجی کی ترقی کے لیے سنگ میل کی اہمیت رکھتا ہے۔