ہماری کمپنی فراہم کرتی ہے۔ایس سی کوٹنگگریفائٹ، سیرامکس اور دیگر مواد کی سطح پر CVD طریقہ کار کے ذریعے پروسیسنگ خدمات، تاکہ کاربن اور سلیکون پر مشتمل خصوصی گیسیں اعلی درجہ حرارت پر رد عمل ظاہر کر کے اعلیٰ طہارت کے sic مالیکیول حاصل کر سکیں، جنہیں لیپت مواد کی سطح پر جمع کیا جا سکتا ہے۔سی سی حفاظتی پرتepitaxy بیرل قسم hy pnotic کے لیے۔
اہم خصوصیات:
1 .اعلی طہارت SiC لیپت گریفائٹ
2. اعلیٰ گرمی کی مزاحمت اور تھرمل یکسانیت
3. ٹھیک ہے۔SiC کرسٹل لیپتہموار سطح کے لیے
4. کیمیائی صفائی کے خلاف اعلی استحکام
کی اہم وضاحتیںCVD-SIC کوٹنگ
| SiC-CVD پراپرٹیز | ||
| کرسٹل کا ڈھانچہ | ایف سی سی β مرحلہ | |
| کثافت | g/cm ³ | 3.21 |
| سختی | Vickers سختی | 2500 |
| اناج کا سائز | μm | 2~10 |
| کیمیائی طہارت | % | 99.99995 |
| حرارت کی صلاحیت | J·kg-1 · K-1 | 640 |
| Sublimation درجہ حرارت | ℃ | 2700 |
| Felexural طاقت | MPa (RT 4 پوائنٹ) | 415 |
| نوجوان کا ماڈیولس | Gpa (4pt موڑ، 1300℃) | 430 |
| تھرمل توسیع (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| حرارت کی ایصالیت | (W/mK) | 300 |
