سلیکون کاربائیڈ (SiC) سنگل کرسٹل مواد میں بڑے بینڈ گیپ کی چوڑائی (~Si 3 گنا)، ہائی تھرمل چالکتا (~Si 3.3 گنا یا GaAs 10 گنا)، ہائی الیکٹران سیچوریشن مائیگریشن ریٹ (~Si 2.5 گنا)، ہائی بریک ڈاؤن الیکٹرک فیلڈ (~Si 10 گنا یا GaAs 5 بار) اور دیگر نمایاں خصوصیات۔
SiC ڈیوائسز کے اعلی درجہ حرارت، ہائی پریشر، ہائی فریکوئنسی، ہائی پاور الیکٹرانک ڈیوائسز اور انتہائی ماحولیاتی ایپلی کیشنز جیسے ایرو اسپیس، ملٹری، نیوکلیئر انرجی وغیرہ کے میدان میں ناقابل تلافی فوائد ہوتے ہیں، جو عملی طور پر روایتی سیمی کنڈکٹر مادی آلات کے نقائص کو پورا کرتے ہیں۔ ایپلی کیشنز، اور آہستہ آہستہ پاور سیمیکمڈکٹرز کے مرکزی دھارے بن رہے ہیں.
4H-SiC سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ کی وضاحتیں۔
| آئٹم项目 | وضاحتیں参数 | |
| پولی ٹائپ | 4H -SiC | 6H- SiC |
| قطر | 2 انچ |3 انچ |4 انچ |6 انچ | 2 انچ |3 انچ |4 انچ |6 انچ |
| موٹائی | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| چالکتا | N - قسم / نیم موصلیت | N - قسم / نیم موصلیت |
| ڈوپینٹ | N2 ( نائٹروجن ) V ( وینڈیم ) | N2 ( نائٹروجن ) V ( وینڈیم ) |
| واقفیت | محور پر <0001> | محور پر <0001> |
| مزاحمتی صلاحیت | 0.015 ~ 0.03 اوہم-سینٹی میٹر | 0.02 ~ 0.1 اوہم-سینٹی میٹر |
| مائکرو پائپ کثافت (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| ٹی ٹی وی | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| کمان / وارپ | ≤25 μm | ≤25 μm |
| سطح | ڈی ایس پی/ایس ایس پی | ڈی ایس پی/ایس ایس پی |
| گریڈ | پروڈکشن / ریسرچ گریڈ | پروڈکشن / ریسرچ گریڈ |
| کرسٹل اسٹیکنگ کی ترتیب | اے بی سی بی | اے بی سی اے بی سی |
| جالی پیرامیٹر | a=3.076A، c=10.053A | a=3.073A، c=15.117A |
| مثال کے طور پر/eV(Band-gap) | 3.27 eV | 3.02 eV |
| ε (ڈائی الیکٹرک کانسٹینٹ) | 9.6 | 9.66 |
| ریفریکشن انڈیکس | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707، ne =2.755 |
6H-SiC سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ کی وضاحتیں۔
| آئٹم项目 | وضاحتیں参数 |
| پولی ٹائپ | 6H-SiC |
| قطر | 4 انچ |6 انچ |
| موٹائی | 350μm ~ 450μm |
| چالکتا | N - قسم / نیم موصلیت |
| ڈوپینٹ | N2 (نائٹروجن) |
| واقفیت | <0001> آف 4°±0.5° |
| مزاحمتی صلاحیت | 0.02 ~ 0.1 اوہم-سینٹی میٹر |
| مائکرو پائپ کثافت (MPD) | ≤ 10/cm2 |
| ٹی ٹی وی | ≤ 15 μm |
| کمان / وارپ | ≤25 μm |
| سطح | سی چہرہ: سی ایم پی، ایپی ریڈی |
| گریڈ | تحقیقی درجہ |
