SiC Caoted GAN Epi Wafer Carrier

مختصر تفصیل:

Semicera Semiconductor کا SiC Coated GaN Epi Wafer Carrier GaN epitaxy کے عمل کے لیے غیر معمولی استحکام اور تھرمل استحکام پیش کرتا ہے۔ اعلی درجے کی SiC کوٹنگ ٹیکنالوجی کے ساتھ اعلی کارکردگی والے کیریئرز کے لیے Semicera پر اعتماد کریں، جو آپ کے ویفر ہینڈلنگ کو بہتر بنانے اور کارکردگی کو بڑھانے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔

ہمیں ای میل بھیجیں۔

پروڈکٹ کی تفصیل

پروڈکٹ ٹیگز

تفصیل

Semicera GaN Epitaxy Carrier کو جدید سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے سخت تقاضوں کو پورا کرنے کے لیے احتیاط سے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ اعلی معیار کے مواد اور درست انجینئرنگ کی بنیاد کے ساتھ، یہ کیریئر اپنی غیر معمولی کارکردگی اور قابل اعتماد کی وجہ سے نمایاں ہے۔ کیمیکل ویپر ڈیپوزیشن (CVD) سلکان کاربائیڈ (SiC) کوٹنگ کا انضمام اعلی پائیداری، تھرمل کارکردگی اور تحفظ کو یقینی بناتا ہے، جو اسے صنعت کے پیشہ ور افراد کے لیے ایک ترجیحی انتخاب بناتا ہے۔

کلیدی خصوصیات

1. غیر معمولی پائیداریGaN Epitaxy Carrier پر CVD SiC کوٹنگ اس کے ٹوٹ پھوٹ کے خلاف مزاحمت کو بڑھاتی ہے، اس کی آپریشنل زندگی کو نمایاں طور پر بڑھاتی ہے۔ یہ مضبوطی مینوفیکچرنگ ماحول کا مطالبہ کرتے ہوئے بھی مسلسل کارکردگی کو یقینی بناتی ہے، بار بار تبدیلی اور دیکھ بھال کی ضرورت کو کم کرتی ہے۔

2. اعلیٰ تھرمل کارکردگیسیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں تھرمل مینجمنٹ اہم ہے۔ GaN Epitaxy Carrier کی اعلی درجے کی تھرمل خصوصیات epitaxial ترقی کے عمل کے دوران زیادہ سے زیادہ درجہ حرارت کے حالات کو برقرار رکھتے ہوئے، موثر گرمی کی کھپت کو سہولت فراہم کرتی ہیں۔ یہ کارکردگی نہ صرف سیمی کنڈکٹر ویفرز کے معیار کو بہتر بناتی ہے بلکہ مجموعی پیداواری کارکردگی کو بھی بڑھاتی ہے۔

3. حفاظتی صلاحیتیں۔SiC کوٹنگ کیمیائی سنکنرن اور تھرمل جھٹکوں کے خلاف مضبوط تحفظ فراہم کرتی ہے۔ یہ یقینی بناتا ہے کہ کیریئر کی سالمیت مینوفیکچرنگ کے پورے عمل میں برقرار ہے، نازک سیمی کنڈکٹر مواد کی حفاظت اور مینوفیکچرنگ کے عمل کی مجموعی پیداوار اور وشوسنییتا کو بڑھاتا ہے۔