-
کل، سائنس اور ٹیکنالوجی انوویشن بورڈ نے ایک اعلان جاری کیا کہ Huazhuo Precision Technology نے اپنا IPO ختم کر دیا ہے!
ابھی چین میں پہلے 8 انچ کے SIC لیزر اینیلنگ آلات کی فراہمی کا اعلان کیا، جو سنگھوا کی ٹیکنالوجی بھی ہے۔ انہوں نے خود مواد کیوں واپس لیا؟ صرف چند الفاظ: سب سے پہلے، مصنوعات بہت متنوع ہیں! پہلی نظر میں، میں نہیں جانتا کہ وہ کیا کرتے ہیں. اس وقت ایچ...مزید پڑھیں -
سی وی ڈی سلکان کاربائیڈ کوٹنگ -2
سی وی ڈی سلکان کاربائیڈ کوٹنگ 1. سلکان کاربائیڈ کوٹنگ کیوں ہوتی ہے ایپیٹیکسیل پرت ایک مخصوص سنگل کرسٹل پتلی فلم ہے جو ایپیٹیکسیل عمل کے ذریعے ویفر کی بنیاد پر اگائی جاتی ہے۔ سبسٹریٹ ویفر اور epitaxial پتلی فلم کو اجتماعی طور پر epitaxial wafers کہا جاتا ہے۔ ان میں سے...مزید پڑھیں -
SIC کوٹنگ کی تیاری کا عمل
فی الحال، ایس آئی سی کوٹنگ کی تیاری کے طریقوں میں بنیادی طور پر جیل سول طریقہ، ایمبیڈنگ کا طریقہ، برش کوٹنگ کا طریقہ، پلازما چھڑکنے کا طریقہ، کیمیائی بخارات کے رد عمل کا طریقہ (CVR) اور کیمیائی بخارات جمع کرنے کا طریقہ (CVD) شامل ہیں۔ سرایت کرنے کا طریقہ یہ طریقہ ایک قسم کا اعلی درجہ حرارت ٹھوس مرحلہ ہے ...مزید پڑھیں -
سی وی ڈی سلکان کاربائیڈ کوٹنگ -1
CVD SiC کیمیائی بخارات جمع کیا ہے (CVD) ایک ویکیوم جمع کرنے کا عمل ہے جو اعلی پاکیزگی والے ٹھوس مواد کو تیار کرنے کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ یہ عمل اکثر سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ فیلڈ میں ویفرز کی سطح پر پتلی فلمیں بنانے کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ سی وی ڈی کے ذریعے ایس آئی سی کی تیاری کے عمل میں، سبسٹریٹ ایکسپ...مزید پڑھیں -
ایکس رے ٹاپولوجیکل امیجنگ کی مدد سے رے ٹریسنگ سمولیشن کے ذریعہ ایس آئی سی کرسٹل میں سندچیوتی ساخت کا تجزیہ
تحقیقی پس منظر سلکان کاربائیڈ (SiC) کی اطلاق کی اہمیت: ایک وسیع بینڈ گیپ سیمی کنڈکٹر مواد کے طور پر، سلکان کاربائیڈ نے اپنی بہترین برقی خصوصیات (جیسے بڑا بینڈ گیپ، زیادہ الیکٹران سنترپتی رفتار اور تھرمل چالکتا) کی وجہ سے بہت زیادہ توجہ حاصل کی ہے۔ یہ سہارا...مزید پڑھیں -
SiC سنگل کرسٹل گروتھ 3 میں بیج کرسٹل کی تیاری کا عمل
نمو کی توثیق سلکان کاربائیڈ (SiC) سیڈ کرسٹل خاکہ پیش کردہ عمل کے بعد تیار کیے گئے تھے اور SiC کرسٹل نمو کے ذریعے توثیق کیے گئے تھے۔ استعمال شدہ گروتھ پلیٹ فارم ایک خود تیار شدہ SiC انڈکشن گروتھ فرنس تھا جس کا گروتھ ٹمپریچر 2200℃، گروتھ پریشر 200 Pa، اور بڑھتا ہوا...مزید پڑھیں -
SiC سنگل کرسٹل گروتھ میں بیج کرسٹل کی تیاری کا عمل (حصہ 2)
2. تجرباتی عمل 2.1 چپکنے والی فلم کا علاج دستخط کرنا...مزید پڑھیں -
SiC سنگل کرسٹل گروتھ میں بیج کرسٹل کی تیاری کا عمل
سیلیکون کاربائیڈ (SiC) مواد میں وسیع بینڈ گیپ، اعلی تھرمل چالکتا، اعلیٰ اہم خرابی کی فیلڈ طاقت، اور ہائی سیچوریٹڈ الیکٹران ڈرفٹ ویلوسٹی کے فوائد ہیں، جو اسے سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے میدان میں انتہائی امید افزا بناتے ہیں۔ SiC سنگل کرسٹل عام طور پر اس کے ذریعے تیار کیے جاتے ہیں...مزید پڑھیں -
ویفر پالش کرنے کے طریقے کیا ہیں؟
ایک چپ بنانے میں شامل تمام عملوں میں سے، ویفر کی حتمی قسمت انفرادی ڈیز میں کاٹ کر چھوٹے، بند بکسوں میں پیک کرنا ہے جس میں صرف چند پن کھلے ہوئے ہیں۔ چپ کا اندازہ اس کی حد، مزاحمت، کرنٹ، اور وولٹیج کی قدروں کی بنیاد پر کیا جائے گا، لیکن کوئی بھی اس پر غور نہیں کرے گا...مزید پڑھیں -
ایس آئی سی ایپیٹیکسیل گروتھ پروسیس کا بنیادی تعارف
ایپیٹیکسیل پرت ایک مخصوص سنگل کرسٹل فلم ہے جو ویفر پر ایپیٹیکسیل عمل کے ذریعے اگائی جاتی ہے، اور سبسٹریٹ ویفر اور ایپیٹیکسیل فلم کو ایپیٹیکسیل ویفر کہا جاتا ہے۔ کوندکٹو سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ پر سلکان کاربائیڈ ایپیٹیکسیل پرت کو بڑھا کر، سلکان کاربائیڈ یکساں ایپیٹیکسیل...مزید پڑھیں -
سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ پروسیس کوالٹی کنٹرول کے اہم نکات
سیمی کنڈکٹر پیکجنگ کے عمل میں کوالٹی کنٹرول کے لیے کلیدی نکات فی الحال، سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے لیے پراسیس ٹیکنالوجی نمایاں طور پر بہتر اور بہتر ہوئی ہے۔ تاہم، مجموعی نقطہ نظر سے، سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے عمل اور طریقے ابھی تک سب سے زیادہ پرفیکٹ تک نہیں پہنچے ہیں...مزید پڑھیں -
سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے عمل میں چیلنجز
سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کی موجودہ تکنیکوں میں بتدریج بہتری آرہی ہے، لیکن سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ میں خودکار آلات اور ٹیکنالوجیز کو کس حد تک اپنایا جاتا ہے اس سے متوقع نتائج کی وصولی کا براہ راست تعین ہوتا ہے۔ موجودہ سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے عمل اب بھی شکار ہیں ...مزید پڑھیں