-
SiC سنگل کرسٹل گروتھ میں بیج کرسٹل کی تیاری کا عمل (حصہ 2)
2. تجرباتی عمل 2.1 چپکنے والی فلم کا علاج دستخط کرنا...مزید پڑھیں -
SiC سنگل کرسٹل گروتھ میں بیج کرسٹل کی تیاری کا عمل
سیلیکون کاربائیڈ (SiC) مواد میں وسیع بینڈ گیپ، اعلی تھرمل چالکتا، اعلیٰ اہم خرابی کی فیلڈ طاقت، اور ہائی سیچوریٹڈ الیکٹران ڈرفٹ ویلوسٹی کے فوائد ہیں، جو اسے سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے میدان میں انتہائی امید افزا بناتے ہیں۔ SiC سنگل کرسٹل عام طور پر اس کے ذریعے تیار کیے جاتے ہیں...مزید پڑھیں -
ویفر پالش کرنے کے طریقے کیا ہیں؟
ایک چپ بنانے میں شامل تمام عملوں میں سے، ویفر کی حتمی قسمت انفرادی ڈیز میں کاٹ کر چھوٹے، بند بکسوں میں پیک کرنا ہے جس میں صرف چند پن کھلے ہوئے ہیں۔ چپ کا اندازہ اس کی حد، مزاحمت، کرنٹ اور وولٹیج کی قدروں کی بنیاد پر کیا جائے گا، لیکن کوئی بھی اس پر غور نہیں کرے گا...مزید پڑھیں -
ایس آئی سی ایپیٹیکسیل گروتھ پروسیس کا بنیادی تعارف
ایپیٹیکسیل پرت ایک مخصوص سنگل کرسٹل فلم ہے جو ویفر پر ایپیٹیکسیل عمل کے ذریعے اگائی جاتی ہے، اور سبسٹریٹ ویفر اور ایپیٹیکسیل فلم کو ایپیٹیکسیل ویفر کہا جاتا ہے۔ کوندکٹو سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ پر سلکان کاربائیڈ ایپیٹیکسیل پرت کو بڑھا کر، سلکان کاربائیڈ یکساں ایپیٹیکسیل...مزید پڑھیں -
سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ پروسیس کوالٹی کنٹرول کے اہم نکات
سیمی کنڈکٹر پیکجنگ کے عمل میں کوالٹی کنٹرول کے لیے کلیدی نکات فی الحال، سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے لیے پراسیس ٹیکنالوجی نمایاں طور پر بہتر اور بہتر ہوئی ہے۔ تاہم، مجموعی نقطہ نظر سے، سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے عمل اور طریقے ابھی تک سب سے زیادہ پرفیکٹ تک نہیں پہنچے ہیں...مزید پڑھیں -
سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے عمل میں چیلنجز
سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کی موجودہ تکنیکوں میں بتدریج بہتری آرہی ہے، لیکن سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ میں خودکار آلات اور ٹیکنالوجیز کو کس حد تک اپنایا جاتا ہے اس سے متوقع نتائج کی وصولی کا براہ راست تعین ہوتا ہے۔ موجودہ سیمی کنڈکٹر پیکیجنگ کے عمل اب بھی شکار ہیں ...مزید پڑھیں -
سیمی کنڈکٹر پیکجنگ کے عمل کی تحقیق اور تجزیہ
سیمی کنڈکٹر کے عمل کا جائزہ سیمی کنڈکٹر کے عمل میں بنیادی طور پر مائیکرو فیبریکیشن اور فلم ٹیکنالوجیز کا اطلاق ہوتا ہے تاکہ چپس اور دیگر عناصر کو مختلف خطوں کے اندر مکمل طور پر مربوط کیا جا سکے، جیسے سبسٹریٹس اور فریم۔ یہ لیڈ ٹرمینلز کو نکالنے اور انکیپسولیشن کے ساتھ ایک...مزید پڑھیں -
سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں نئے رجحانات: حفاظتی کوٹنگ ٹیکنالوجی کا اطلاق
سیمی کنڈکٹر صنعت غیر معمولی ترقی کا مشاہدہ کر رہی ہے، خاص طور پر سلکان کاربائیڈ (SiC) پاور الیکٹرانکس کے دائرے میں۔ الیکٹرک گاڑیوں میں SiC ڈیوائسز کی بڑھتی ہوئی مانگ کو پورا کرنے کے لیے بہت سے بڑے پیمانے پر ویفر فیبس کی تعمیر یا توسیع کے ساتھ، یہ...مزید پڑھیں -
SiC سبسٹریٹس کی پروسیسنگ میں اہم اقدامات کیا ہیں؟
ہم SiC سبسٹریٹس کے لیے پروسیسنگ کے مراحل کیسے بناتے ہیں: 1. کرسٹل اورینٹیشن: کرسٹل انگوٹ کو سمت دینے کے لیے ایکس رے کے پھیلاؤ کا استعمال۔ جب ایک ایکس رے بیم کو مطلوبہ کرسٹل چہرے کی طرف لے جایا جاتا ہے، تو منتشر بیم کا زاویہ کرسٹل کی سمت کا تعین کرتا ہے...مزید پڑھیں -
ایک اہم مواد جو سنگل کرسٹل سلکان کی ترقی کے معیار کا تعین کرتا ہے - تھرمل فیلڈ
سنگل کرسٹل سلکان کی نشوونما کا عمل مکمل طور پر تھرمل فیلڈ میں ہوتا ہے۔ ایک اچھا تھرمل فیلڈ کرسٹل کے معیار کو بہتر بنانے کے لیے موزوں ہے اور اس میں کرسٹلائزیشن کی اعلی کارکردگی ہے۔ تھرمل فیلڈ کا ڈیزائن بڑی حد تک تبدیلیوں اور تبدیلیوں کا تعین کرتا ہے...مزید پڑھیں -
epitaxial ترقی کیا ہے؟
ایپیٹیکسیل گروتھ ایک ٹکنالوجی ہے جو ایک واحد کرسٹل پرت کو ایک ہی کرسٹل سبسٹریٹ (سبسٹریٹ) پر اسی کرسٹل واقفیت کے ساتھ اگاتی ہے جس طرح سبسٹریٹ کی طرح اصل کرسٹل باہر کی طرف بڑھا ہوا ہے۔ یہ نئی اگائی ہوئی واحد کرسٹل تہہ سی کے لحاظ سے سبسٹریٹ سے مختلف ہو سکتی ہے...مزید پڑھیں -
سبسٹریٹ اور ایپیٹیکسی میں کیا فرق ہے؟
ویفر کی تیاری کے عمل میں، دو بنیادی روابط ہیں: ایک سبسٹریٹ کی تیاری، اور دوسرا ایپیٹیکسیل عمل کا نفاذ۔ سبسٹریٹ، سیمی کنڈکٹر سنگل کرسٹل میٹریل سے احتیاط سے تیار کردہ ویفر کو براہ راست ویفر مینوفیکچرنگ میں ڈالا جا سکتا ہے...مزید پڑھیں