سیرامک ​​سیمیکمڈکٹر کی خصوصیات

خصوصیات:

سیمک کنڈکٹر خصوصیات کے ساتھ سیرامکس کی مزاحمتی صلاحیت تقریباً 10-5~ 107ω.cm ہے، اور سیرامک ​​مواد کی سیمی کنڈکٹر خصوصیات ڈوپنگ کے ذریعے حاصل کی جا سکتی ہیں یا سٹوچیومیٹرک انحراف کی وجہ سے جعلی نقائص پیدا کر کے حاصل کی جا سکتی ہیں۔ اس طریقہ کار کو استعمال کرنے والے سیرامکس میں شامل ہیں TiO2،

ZnO، CdS، BaTiO3، Fe2O3، Cr2O3 اور SiC۔ کی مختلف خصوصیاتسیمی کنڈکٹر سیرامکسیہ ہے کہ ان کی برقی چالکتا ماحول کے ساتھ تبدیل ہوتی ہے، جس کا استعمال مختلف قسم کے سیرامک ​​حساس آلات بنانے کے لیے کیا جا سکتا ہے۔

جیسے ہیٹ حساس، گیس حساس، نمی حساس، دباؤ حساس، روشنی حساس اور دیگر سینسر۔ سیمی کنڈکٹر اسپنل مواد، جیسے Fe3O4، کو غیر موصل اسپنل مواد، جیسے MgAl2O4، کے ساتھ کنٹرول شدہ ٹھوس محلول میں ملایا جاتا ہے۔

MgCr2O4، اور Zr2TiO4، کو تھرمسٹر کے طور پر استعمال کیا جا سکتا ہے، جو احتیاط سے کنٹرول کرنے والے مزاحمتی آلات ہیں جو درجہ حرارت کے ساتھ مختلف ہوتے ہیں۔ ZnO کو آکسائیڈز جیسے Bi، Mn، Co اور Cr شامل کرکے تبدیل کیا جا سکتا ہے۔

ان میں سے زیادہ تر آکسائیڈز ZnO میں ٹھوس طور پر تحلیل نہیں ہوتے ہیں، لیکن بیریئر پرت بنانے کے لیے اناج کی باؤنڈری پر انحراف کرتے ہیں، تاکہ ZnO ویریسٹر سیرامک ​​مواد حاصل کیا جا سکے، اور یہ ایک قسم کا مواد ہے جس میں ویریسٹر سیرامکس میں بہترین کارکردگی ہے۔

SiC ڈوپنگ (جیسے انسانی کاربن بلیک، گریفائٹ پاؤڈر) تیار کر سکتے ہیںسیمی کنڈکٹر مواداعلی درجہ حرارت کے استحکام کے ساتھ، مختلف مزاحمتی حرارتی عناصر کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے، یعنی اعلی درجہ حرارت برقی بھٹیوں میں سلکان کاربن راڈز۔ تقریباً مطلوبہ کچھ حاصل کرنے کے لیے SiC کی مزاحمتی صلاحیت اور کراس سیکشن کو کنٹرول کریں۔

آپریٹنگ حالات (1500 ° C تک)، اس کی مزاحمتی صلاحیت میں اضافہ اور حرارتی عنصر کے کراس سیکشن کو کم کرنے سے پیدا ہونے والی حرارت میں اضافہ ہوگا۔ ہوا میں سلکان کاربن راڈ آکسیکرن رد عمل پائے گا، درجہ حرارت کا استعمال عام طور پر 1600 ° C سے نیچے تک محدود ہے، عام قسم کی سلکان کاربن راڈ

محفوظ آپریٹنگ درجہ حرارت 1350 ° C ہے۔ SiC میں، ایک Si ایٹم کو N ایٹم سے بدل دیا جاتا ہے، کیونکہ N میں زیادہ الیکٹران ہوتے ہیں، اضافی الیکٹران ہوتے ہیں، اور اس کی توانائی کی سطح نچلے کنڈکشن بینڈ کے قریب ہوتی ہے اور اسے کنڈکشن بینڈ تک بڑھانا آسان ہوتا ہے، اس لیے یہ توانائی کی حالت اسے ڈونر لیول بھی کہا جاتا ہے، یہ نصف

کنڈکٹرز N قسم کے سیمی کنڈکٹرز ہیں یا الیکٹرانک طور پر چلانے والے سیمی کنڈکٹرز ہیں۔ اگر ال ایٹم کو SiC میں Si ایٹم کو تبدیل کرنے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے، الیکٹران کی کمی کی وجہ سے، تشکیل شدہ مادی توانائی کی حالت اوپر والینس الیکٹران بینڈ کے قریب ہے، الیکٹران کو قبول کرنا آسان ہے، اور اس لیے اسے قبول کنندہ کہا جاتا ہے۔

مرکزی توانائی کی سطح، جو والینس بینڈ میں ایک خالی جگہ چھوڑ دیتی ہے جو الیکٹرانوں کو چلا سکتی ہے کیونکہ خالی پوزیشن مثبت چارج کیریئر کی طرح کام کرتی ہے، اسے P-قسم کا سیمی کنڈکٹر یا ہول سیمی کنڈکٹر (H. Sarman,1989) کہا جاتا ہے۔