سیمیسیرا کے LiNbO3 بانڈنگ ویفر کو جدید سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کی اعلیٰ ضروریات کو پورا کرنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔ اپنی غیر معمولی خصوصیات کے ساتھ، بشمول اعلی لباس مزاحمت، اعلی تھرمل استحکام، اور شاندار پاکیزگی، یہ ویفر ایسی ایپلی کیشنز میں استعمال کے لیے مثالی ہے جن میں درستگی اور دیرپا کارکردگی کی ضرورت ہوتی ہے۔
سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں، LiNbO3 بانڈنگ ویفرز عام طور پر آپٹو الیکٹرانک آلات، سینسرز، اور جدید آئی سی میں پتلی تہوں کو جوڑنے کے لیے استعمال ہوتے ہیں۔ ان کی بہترین ڈائی الیکٹرک خصوصیات اور سخت آپریٹنگ حالات کا مقابلہ کرنے کی صلاحیت کی وجہ سے فوٹوونکس اور MEMS (مائکرو الیکٹرو مکینیکل سسٹم) میں خاص طور پر قدر کی جاتی ہے۔ سیمیسیرا کے LiNbO3 بانڈنگ ویفر کو عین مطابق پرت کی بانڈنگ کو سپورٹ کرنے کے لیے بنایا گیا ہے، جس سے سیمی کنڈکٹر آلات کی مجموعی کارکردگی اور وشوسنییتا میں اضافہ ہوتا ہے۔
| LiNbO3 کی تھرمل اور برقی خصوصیات | |
| پگھلنے کا نقطہ | 1250 ℃ |
| کیوری کا درجہ حرارت | 1140 ℃ |
| تھرمل چالکتا | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| تھرمل توسیع کا گتانک (@ 25 ° C) | //a، 2.0×10-6/K //c، 2.2×10-6/K |
| مزاحمتی صلاحیت | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| ڈائی الیکٹرک مستقل | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2 |
| پیزو الیکٹرک مستقل | D22=2.04×10-11C/N D33=19.22×10-11C/N |
| الیکٹرو آپٹک گتانک | γT33=32 pm/V, γS33=31 pm/V، γT31=10 pm/V, γS31=8.6 pm/V، γT22=6.8 pm/V，γS22=3.4 pm/V، |
| ہاف ویو وولٹیج، ڈی سی | 3.03 KV 4.02 KV |
اعلیٰ معیار کے مواد کا استعمال کرتے ہوئے تیار کیا گیا، LiNbO3 بانڈنگ ویفر انتہائی سخت حالات میں بھی مستقل اعتبار کو یقینی بناتا ہے۔ اس کا اعلی تھرمل استحکام اسے خاص طور پر ایسے ماحول کے لیے موزوں بناتا ہے جس میں بلند درجہ حرارت شامل ہوتا ہے، جیسے کہ سیمی کنڈکٹر ایپیٹیکسی عمل میں پائے جاتے ہیں۔ مزید برآں، ویفر کی اعلیٰ پاکیزگی کم سے کم آلودگی کو یقینی بناتی ہے، جو اسے اہم سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے ایک قابل اعتماد انتخاب بناتی ہے۔
Semicera میں، ہم صنعت کے معروف حل فراہم کرنے کے لیے پرعزم ہیں۔ ہمارا LiNbO3 بانڈنگ ویفر ایسی ایپلی کیشنز کے لیے بے مثال پائیداری اور اعلیٰ کارکردگی کی صلاحیتیں فراہم کرتا ہے جن کے لیے اعلی پاکیزگی، لباس مزاحمت اور تھرمل استحکام کی ضرورت ہوتی ہے۔ چاہے جدید سیمی کنڈکٹر پروڈکشن کے لیے ہو یا دیگر خصوصی ٹیکنالوجیز کے لیے، یہ ویفر جدید ڈیوائس مینوفیکچرنگ کے لیے ایک لازمی جزو کے طور پر کام کرتا ہے۔
